Глубина истощения Pn-перехода с источником в Изготовление СБИС Формулы

Глубина истощения Pn-перехода с источником определяется как область вокруг pn-перехода, где носители заряда обеднены из-за образования электрического поля. И обозначается x_dS. Глубина истощения Pn-перехода с источником обычно измеряется с использованием микрометр для Длина. Обратите внимание, что значение Глубина истощения Pn-перехода с источником всегда равно позитивный.

Формулы для поиска Глубина истощения Pn-перехода с источником в Изготовление СБИС

fxГлубина истощения PN-перехода с источником СБИСИдти

Формулы Изготовление СБИС, в которых используется Глубина истощения Pn-перехода с источником

fxСнижение порогового напряжения короткого канала VLSIИдти

Список переменных в формулах Изготовление СБИС

fx Встроенное напряжение соединения Идти

fx Концентрация акцептора Идти

FAQ

Что такое Глубина истощения Pn-перехода с источником?

Глубина истощения Pn-перехода с источником определяется как область вокруг pn-перехода, где носители заряда обеднены из-за образования электрического поля. Глубина истощения Pn-перехода с источником обычно измеряется с использованием микрометр для Длина. Обратите внимание, что значение Глубина истощения Pn-перехода с источником всегда равно позитивный.

Может ли Глубина истощения Pn-перехода с источником быть отрицательным?

Нет, Глубина истощения Pn-перехода с источником, измеренная в Длина не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Глубина истощения Pn-перехода с источником?

Глубина истощения Pn-перехода с источником обычно измеряется с использованием микрометр[μm] для Длина. Метр[μm], Миллиметр[μm], километр[μm] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Глубина истощения Pn-перехода с источником.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!