FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Глубина обеднения Pn-перехода со стоком определяется как расширение области обеднения в полупроводниковый материал вблизи стоковой клеммы. Проверьте FAQs

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

x_dD - Глубина истощения Pn-перехода с дренажем?N_A - Концентрация акцептора?Ø₀ - Встроенное напряжение соединения?V_ds - Сток в источник потенциала?[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния?[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума?[Charge-e] - Заряд электрона?

Пример Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС выглядит как с единицами.

Вот как уравнение Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС выглядит как.

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

0.5345μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Изготовление СБИС » fx Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС?

Первый шаг Рассмотрим формулу

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Следующий шаг Замещающие значения констант

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Следующий шаг Конвертировать единицы

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+22}) \cdot (0.76 + 1.45)}

Следующий шаг Оценивать

∴

x dD = 5.34466520692296E-07m

Следующий шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

x dD = 0.534466520692296μm

Последний шаг Округление ответа

∴

x dD = 0.5345μm

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Формула Элементы

Переменные

Константы

Функции

Глубина истощения Pn-перехода с дренажем

Глубина обеднения Pn-перехода со стоком определяется как расширение области обеднения в полупроводниковый материал вблизи стоковой клеммы.

Символ: x_dD

Измерение: ДлинаЕдиница: μm

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Глубина истощения Pn-перехода с дренажем

Концентрация акцептора

Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.

Символ: N_A

Измерение: Концентрация носителяЕдиница: 1/cm³

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Концентрация акцептора

Встроенное напряжение соединения

Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.

Символ: Ø₀

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Встроенное напряжение соединения

Сток в источник потенциала

Сток к истоку. Потенциал – это потенциал между стоком и истоком.

Символ: V_ds

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Сток в источник потенциала

Диэлектрическая проницаемость кремния

Диэлектрическая проницаемость кремния измеряет его способность хранить электрическую энергию в электрическом поле, что жизненно важно в полупроводниковой технологии.

Символ: [Permitivity-silicon]

Ценить: 11.7

Диэлектрическая проницаемость вакуума

Диэлектрическая проницаемость вакуума — это фундаментальная физическая константа, которая описывает способность вакуума обеспечивать передачу линий электрического поля.

Символ: [Permitivity-vacuum]

Ценить: 8.85E-12 F/m

Заряд электрона

Заряд электрона — это фундаментальная физическая константа, представляющая электрический заряд, переносимый электроном, который является элементарной частицей с отрицательным электрическим зарядом.

Символ: [Charge-e]

Ценить: 1.60217662E-19 C

sqrt

Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа.

Синтаксис: sqrt(Number)

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Идти Коэффициент эффекта тела

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Идти Плата за канал

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Идти Критическое напряжение

V x = E x \cdot E ch

Идти DIBL Коэффициент

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Узнать больше OpenImg

Как оценить Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС?

Оценщик Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС использует P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Концентрация акцептора))*(Встроенное напряжение соединения+Сток в источник потенциала)) для оценки Глубина истощения Pn-перехода с дренажем, Формула VLSI для определения глубины обеднения PN-перехода со стоком определяется как расширение области обеднения в полупроводниковый материал вблизи стоковой клеммы. Глубина истощения Pn-перехода с дренажем обозначается символом x_dD.

Как оценить Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС, введите Концентрация акцептора (N_A), Встроенное напряжение соединения (Ø₀) & Сток в источник потенциала (V_ds) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС

По какой формуле можно найти Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС?

Формула Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС выражается как P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Концентрация акцептора))*(Встроенное напряжение соединения+Сток в источник потенциала)). Вот пример: 534466.5 = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45)).

Как рассчитать Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС?

С помощью Концентрация акцептора (N_A), Встроенное напряжение соединения (Ø₀) & Сток в источник потенциала (V_ds) мы можем найти Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС, используя формулу - P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Концентрация акцептора))*(Встроенное напряжение соединения+Сток в источник потенциала)). В этой формуле также используются функции Диэлектрическая проницаемость кремния, Диэлектрическая проницаемость вакуума, Заряд электрона, константа(ы) и Функция квадратного корня.

Может ли Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС быть отрицательным?

Нет, Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС, измеренная в Длина не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС?

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС обычно измеряется с использованием микрометр[μm] для Длина. Метр[μm], Миллиметр[μm], километр[μm] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Формула

Пример Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Решение

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Формула Элементы

Другие формулы в категории Оптимизация материалов СБИС

Как оценить Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС?

FAQs на Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС

Variable Name