FormulaDen.com

физика Химия математика Химическая инженерия Гражданская Электрические Электроника Электроника и приборы Материаловедение Механический Технология производства финансовый Здоровье

MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны Формула

ИдтиКрутизна тока стока Формула

ИдтиКрутизна заданного параметра крутизны процесса Формула

Fx Копировать

LaTeX Копировать

Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток. Проверьте FAQs

g m = k n \cdot (V gs - V th)

g_m - крутизна?k_n - Параметр крутизны?V_gs - Напряжение затвор-исток?V_th - Пороговое напряжение?

Пример MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны

С ценностями

С единицами

Только пример

Вот как уравнение MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны выглядит как с ценностями.

Вот как уравнение MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны выглядит как с единицами.

Вот как уравнение MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны выглядит как.

3360 = 10.5 \cdot (4 - 3.68)

3360mS = 10.5A/V² \cdot (4V - 3.68V)

3360 = 10.5 \cdot (4 - 3.68)

Кончик: Используйте значок карандаша ( Pencil

) выше, чтобы редактировать входные значения и единицы измерения.

Рассчитать

Пересчитать

Решение

Копировать

Сброс

Делиться

Вы здесь -

Дом » Category

Инженерное дело » Category

Электроника » Category

Аналоговая электроника » fx MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны

MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны Решение

Следуйте нашему пошаговому решению о том, как рассчитать MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны?

Первый шаг Рассмотрим формулу

g m = k n \cdot (V gs - V th)

Следующий шаг Заменить значения переменных

∴

g m = 10.5A/V² \cdot (4V - 3.68V)

Следующий шаг Подготовьтесь к оценке

∴

g m = 10.5 \cdot (4 - 3.68)

Следующий шаг Оценивать

∴

g m = 3.36S

Последний шаг Преобразовать в единицу вывода

∴

g m = 3360mS

MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны Формула Элементы

Переменные

крутизна

Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.

Символ: g_m

Измерение: Электрическая проводимостьЕдиница: mS

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска крутизна

Параметр крутизны

Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током.

Символ: k_n

Измерение: Параметр крутизныЕдиница: A/V²

Примечание: Значение может быть положительным или отрицательным.

Формулы для поиска Параметр крутизны

Напряжение затвор-исток

Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.

Символ: V_gs

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Напряжение затвор-исток

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

Символ: V_th

Измерение: Электрический потенциалЕдиница: V

Примечание: Значение должно быть больше 0.

Формулы для поиска Пороговое напряжение

Другие формулы для поиска крутизна

Идти Крутизна тока стока

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Идти Крутизна заданного параметра крутизны процесса

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Идти Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Идти Транскондуктивность МОП-транзистора при заданном напряжении перегрузки

g m = k n \cdot V ov

Узнать больше OpenImg

Другие формулы в категории крутизна

Идти Ток стока с использованием крутизны

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Идти Технологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

Идти MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Идти Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Узнать больше OpenImg

Как оценить MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны?

Оценщик MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны использует Transconductance = Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение) для оценки крутизна, Коэффициент крутизны полевого МОП-транзистора с учетом параметра крутизны представляет собой изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток. крутизна обозначается символом g_m.

Как оценить MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны с помощью этого онлайн-оценщика? Чтобы использовать этот онлайн-оценщик для MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны, введите Параметр крутизны (k_n), Напряжение затвор-исток (V_gs) & Пороговое напряжение (V_th) и нажмите кнопку расчета.

FAQs на MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны

По какой формуле можно найти MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны?

Формула MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны выражается как Transconductance = Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение). Вот пример: 3.4E+6 = 10.5*(4-3.68).

Как рассчитать MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны?

С помощью Параметр крутизны (k_n), Напряжение затвор-исток (V_gs) & Пороговое напряжение (V_th) мы можем найти MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны, используя формулу - Transconductance = Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение).

Какие еще способы расчета крутизна?

Вот различные способы расчета крутизна-

Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive Voltage

Может ли MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны быть отрицательным?

Да, MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны?

MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны обычно измеряется с использованием Миллисименс[mS] для Электрическая проводимость. Сименс[mS], Мегасименс[mS], сименс[mS] — это несколько других единиц, в которых можно измерить MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Ценить
: Единица