Плотность легирования боковой стенки в Усилители Формулы

Плотность легирования боковых стенок относится к концентрации атомов примеси вдоль боковых стенок транзисторной структуры. И обозначается N_A(sw). Плотность легирования боковой стенки обычно измеряется с использованием Электронов на кубический метр для Электронная плотность. Обратите внимание, что значение Плотность легирования боковой стенки всегда равно позитивный.

Формулы Усилители, в которых используется Плотность легирования боковой стенки

fxЕмкость перехода на боковой стенке с нулевым смещениемИдти

FAQ

Что такое Плотность легирования боковой стенки?

Плотность легирования боковых стенок относится к концентрации атомов примеси вдоль боковых стенок транзисторной структуры. Плотность легирования боковой стенки обычно измеряется с использованием Электронов на кубический метр для Электронная плотность. Обратите внимание, что значение Плотность легирования боковой стенки всегда равно позитивный.

Может ли Плотность легирования боковой стенки быть отрицательным?

Нет, Плотность легирования боковой стенки, измеренная в Электронная плотность не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Плотность легирования боковой стенки?

Плотность легирования боковой стенки обычно измеряется с использованием Электронов на кубический метр[electrons/m³] для Электронная плотность. Электронов на кубический сантиметр[electrons/m³] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Плотность легирования боковой стенки.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!