Параметр крутизны процесса в NMOS в МОП-транзистор Формулы

Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора. И обозначается k'_n. Параметр крутизны процесса в NMOS обычно измеряется с использованием Миллисименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Параметр крутизны процесса в NMOS всегда равно отрицательный.

Формулы МОП-транзистор, в которых используется Параметр крутизны процесса в NMOS

fxТок, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвораИдти

fxТок, поступающий в сток-источник в области триода NMOSИдти

fxТекущий вход в сток-источник в области насыщения NMOSИдти

fxТок, поступающий в сток-исток в области насыщения NMOS при заданном эффективном напряженииИдти

fxТок, поступающий в источник стока на границе области насыщения и триода NMOSИдти

fxТок стока, когда NMOS работает как источник тока, управляемый напряжениемИдти

fxТекущий входной сливной терминал NMOSИдти

FAQ

Что такое Параметр крутизны процесса в NMOS?

Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора. Параметр крутизны процесса в NMOS обычно измеряется с использованием Миллисименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Параметр крутизны процесса в NMOS всегда равно отрицательный.

Может ли Параметр крутизны процесса в NMOS быть отрицательным?

Да, Параметр крутизны процесса в NMOS, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Параметр крутизны процесса в NMOS?

Параметр крутизны процесса в NMOS обычно измеряется с использованием Миллисименс[mS] для Электрическая проводимость. Сименс[mS], Мегасименс[mS], сименс[mS] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Параметр крутизны процесса в NMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!