Напряжение пробоя коллектор-эмиттер в Интегральные схемы (ИС) Формулы

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора. И обозначается V_ce. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение пробоя коллектор-эмиттер всегда равно позитивный.

Формулы для поиска Напряжение пробоя коллектор-эмиттер в Интегральные схемы (ИС)

fxНапряжение пробоя коллектора-эмиттераИдти

Список переменных в формулах Интегральные схемы (ИС)

fx Напряжение пробоя базы коллектора Идти

fx Текущий прирост BJT Идти

fx Корневой номер Идти

FAQ

Что такое Напряжение пробоя коллектор-эмиттер?

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер — это напряжение между выводами коллектора и эмиттера биполярного транзистора, не вызывающее пробоя транзистора. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение пробоя коллектор-эмиттер всегда равно позитивный.

Может ли Напряжение пробоя коллектор-эмиттер быть отрицательным?

Нет, Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, измеренная в Электрический потенциал не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Напряжение пробоя коллектор-эмиттер?

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение пробоя коллектор-эмиттер.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!