Напряжение между затвором и источником в МОП-транзистор Формулы

Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора. И обозначается V_GS. Напряжение между затвором и источником обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение между затвором и источником всегда равно отрицательный.

Формулы МОП-транзистор, в которых используется Напряжение между затвором и источником

fxТок стока в области триода PMOS-транзистораИдти

fxТок стока в области насыщения транзистора PMOSИдти

fxОбщий ток стока транзистора PMOSИдти

fxЗаряд инверсионного слоя в PMOSИдти

fxЗаряд инверсионного слоя в условиях отсечки в PMOSИдти

fxПовышенное напряжение PMOSИдти

FAQ

Что такое Напряжение между затвором и источником?

Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора. Напряжение между затвором и источником обычно измеряется с использованием вольт для Электрический потенциал. Обратите внимание, что значение Напряжение между затвором и источником всегда равно отрицательный.

Может ли Напряжение между затвором и источником быть отрицательным?

Да, Напряжение между затвором и источником, измеренная в Электрический потенциал может, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Напряжение между затвором и источником?

Напряжение между затвором и источником обычно измеряется с использованием вольт[V] для Электрический потенциал. милливольт[V], микровольт[V], Нановольт[V] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Напряжение между затвором и источником.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!