Мобильность в MOSFET в Изготовление СБИС Формулы

Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля. И обозначается μ_eff. Мобильность в MOSFET обычно измеряется с использованием Квадратный сантиметр на вольт-секунду для Мобильность. Обратите внимание, что значение Мобильность в MOSFET всегда равно позитивный.

Формулы для поиска Мобильность в MOSFET в Изготовление СБИС

fxМобильность в MosfetИдти

Формулы Изготовление СБИС, в которых используется Мобильность в MOSFET

fxK-PrimeИдти

Список переменных в формулах Изготовление СБИС

fx К Прайм Идти

fx Емкость оксидного слоя затвора Идти

FAQ

Что такое Мобильность в MOSFET?

Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля. Мобильность в MOSFET обычно измеряется с использованием Квадратный сантиметр на вольт-секунду для Мобильность. Обратите внимание, что значение Мобильность в MOSFET всегда равно позитивный.

Может ли Мобильность в MOSFET быть отрицательным?

Нет, Мобильность в MOSFET, измеренная в Мобильность не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Мобильность в MOSFET?

Мобильность в MOSFET обычно измеряется с использованием Квадратный сантиметр на вольт-секунду[cm²/V*s] для Мобильность. Квадратный метр на вольт в секунду[cm²/V*s] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Мобильность в MOSFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!