FormulaDen.com
физика
Химия
математика
Химическая инженерия
Гражданская
Электрические
Электроника
Электроника и приборы
Материаловедение
Механический
Технология производства
финансовый
Здоровье
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Интегральные схемы (ИС)
Крутизна МОП-транзистора в Интегральные схемы (ИС) Формулы
Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током. И обозначается g
m
. Крутизна МОП-транзистора обычно измеряется с использованием Сименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Крутизна МОП-транзистора всегда равно отрицательный.
Формулы Интегральные схемы (ИС), в которых используется Крутизна МОП-транзистора
f
x
Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления
Идти
FAQ
Что такое Крутизна МОП-транзистора?
Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током. Крутизна МОП-транзистора обычно измеряется с использованием Сименс для Электрическая проводимость. Обратите внимание, что значение Крутизна МОП-транзистора всегда равно отрицательный.
Может ли Крутизна МОП-транзистора быть отрицательным?
Да, Крутизна МОП-транзистора, измеренная в Электрическая проводимость может, будет отрицательной.
Какая единица измерения используется для измерения Крутизна МОП-транзистора?
Крутизна МОП-транзистора обычно измеряется с использованием Сименс[S] для Электрическая проводимость. Мегасименс[S], Миллисименс[S], сименс[S] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Крутизна МОП-транзистора.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!