Допинг на стороне P в Интегральные схемы (ИС) Формулы

Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства. И обозначается N_dp. Допинг на стороне P обычно измеряется с использованием 1 на кубический сантиметр для Плотность номера. Обратите внимание, что значение Допинг на стороне P всегда равно позитивный.

Формулы Интегральные схемы (ИС), в которых используется Допинг на стороне P

fxЭффективность впрыска эмиттера с учетом констант легированияИдти

FAQ

Что такое Допинг на стороне P?

Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства. Допинг на стороне P обычно измеряется с использованием 1 на кубический сантиметр для Плотность номера. Обратите внимание, что значение Допинг на стороне P всегда равно позитивный.

Может ли Допинг на стороне P быть отрицательным?

Нет, Допинг на стороне P, измеренная в Плотность номера не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Допинг на стороне P?

Допинг на стороне P обычно измеряется с использованием 1 на кубический сантиметр[1/cm³] для Плотность номера. 1 на кубический метр[1/cm³] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Допинг на стороне P.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!