Вертикальное масштабное истощение субстрата в Изготовление СБИС Формулы

Вертикальная степень объемного истощения подложки относится к глубине области истощения подложки (объема) MOSFET. И обозначается x_dm. Вертикальное масштабное истощение субстрата обычно измеряется с использованием микрометр для Длина. Обратите внимание, что значение Вертикальное масштабное истощение субстрата всегда равно позитивный.

Формулы Изготовление СБИС, в которых используется Вертикальное масштабное истощение субстрата

fxДополнительное пороговое напряжение узкого канала СБИСИдти

FAQ

Что такое Вертикальное масштабное истощение субстрата?

Вертикальная степень объемного истощения подложки относится к глубине области истощения подложки (объема) MOSFET. Вертикальное масштабное истощение субстрата обычно измеряется с использованием микрометр для Длина. Обратите внимание, что значение Вертикальное масштабное истощение субстрата всегда равно позитивный.

Может ли Вертикальное масштабное истощение субстрата быть отрицательным?

Нет, Вертикальное масштабное истощение субстрата, измеренная в Длина не могу, будет отрицательной.

Какая единица измерения используется для измерения Вертикальное масштабное истощение субстрата?

Вертикальное масштабное истощение субстрата обычно измеряется с использованием микрометр[μm] для Длина. Метр[μm], Миллиметр[μm], километр[μm] — это несколько других единиц, в которых можно измерить Вертикальное масштабное истощение субстрата.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!