Tensão Gate-Fonte em MOSFET Fórmulas

A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo. E é denotado por V_gs. Tensão Gate-Fonte geralmente é medido usando Volt para Potencial elétrico. Observe que o valor de Tensão Gate-Fonte é sempre positivo.

Fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte em MOSFET

fxTensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada DiferencialIr

fxTensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão OverdriveIr

fxTensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entradaIr

Fórmulas de MOSFET que usam Tensão Gate-Fonte

fxCorrente de dreno sem modulação de comprimento de canal de MOSFETIr

fxCorrente de curto-circuito do MOSFETIr

fxTensão limite quando o MOSFET atua como amplificadorIr

fxTensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFETIr

fxCondutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to SourceIr

fxTensão limite do MOSFETIr

fxTensão de saturação do MOSFETIr

fxCorrente de polarização DC do MOSFETIr

fxTranscondutância dada o parâmetro de transcondutância do processoIr

fxTranscondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processoIr

fxTranscondutância do MOSFET dado o parâmetro de transcondutânciaIr

fxTranscondutância MOSFETIr

Lista de variáveis em fórmulas MOSFET

fx Tensão de limiar Ir

fx Corrente de polarização DC Ir

fx Parâmetro de Transcondutância do Processo Ir

fx Proporção da tela Ir

fx Tensão Efetiva Ir

fx Corrente de entrada Ir

fx Frequência angular Ir

fx Capacitância da porta de origem Ir

fx Capacitância Gate-Dreno Ir

Tensão Gate-Fonte em MOSFET Fórmulas

Fórmulas para encontrar Tensão Gate-Fonte em MOSFET

Fórmulas de MOSFET que usam Tensão Gate-Fonte

Lista de variáveis em fórmulas MOSFET

FAQ