Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) em Dispositivos transistorizados avançados Fórmulas

A tensão de saturação do coletor para o emissor (IGBT) de um transistor bipolar de porta isolada é a queda de tensão no IGBT quando ele está ligado e conduzindo corrente. E é denotado por V_{c-e(sat)(igbt)}. Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) geralmente é medido usando Volt para Potencial elétrico. Observe que o valor de Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) é sempre positivo.

Fórmulas para encontrar Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) em Dispositivos transistorizados avançados

fxTensão de saturação do IGBTIr

Lista de variáveis em fórmulas Dispositivos transistorizados avançados

fx Tensão base do emissor PNP IGBT Ir

fx Corrente de drenagem (IGBT) Ir

fx Resistência à condutividade IGBT Ir

fx Resistência do Canal N (IGBT) Ir

FAQ

O que é Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT)?

A tensão de saturação do coletor para o emissor (IGBT) de um transistor bipolar de porta isolada é a queda de tensão no IGBT quando ele está ligado e conduzindo corrente. Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) geralmente é medido usando Volt para Potencial elétrico. Observe que o valor de Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) é sempre positivo.

O Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) pode ser negativo?

Não, o Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT), medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT)?

Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Tensão de saturação do coletor para emissor (IGBT) pode ser medido.

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