Resistência do Canal N (IGBT) em Dispositivos transistorizados avançados Fórmulas

A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado. E é denotado por R_ch(igbt). Resistência do Canal N (IGBT) geralmente é medido usando Quilohm para Resistência Elétrica. Observe que o valor de Resistência do Canal N (IGBT) é sempre positivo.

Fórmulas de Dispositivos transistorizados avançados que usam Resistência do Canal N (IGBT)

fxQueda de tensão no IGBT no estado ONIr

fxTensão de saturação do IGBTIr

FAQ

O que é Resistência do Canal N (IGBT)?

A resistência do canal N (IGBT) é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado. Resistência do Canal N (IGBT) geralmente é medido usando Quilohm para Resistência Elétrica. Observe que o valor de Resistência do Canal N (IGBT) é sempre positivo.

O Resistência do Canal N (IGBT) pode ser negativo?

Não, o Resistência do Canal N (IGBT), medido em Resistência Elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Resistência do Canal N (IGBT)?

Resistência do Canal N (IGBT) geralmente é medido usando Quilohm[kΩ] para Resistência Elétrica. Ohm[kΩ], Megohm[kΩ], Microhm[kΩ] são as poucas outras unidades nas quais Resistência do Canal N (IGBT) pode ser medido.

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