Resistência à Deriva (IGBT) em Dispositivos transistorizados avançados Fórmulas

A resistência à deriva (IGBT) é a região de deriva N do material semicondutor no dispositivo. A região de deriva N é um silício dopado espesso que separa o coletor da região de base P. E é denotado por R_d(igbt). Resistência à Deriva (IGBT) geralmente é medido usando Quilohm para Resistência Elétrica. Observe que o valor de Resistência à Deriva (IGBT) é sempre positivo.

Fórmulas de Dispositivos transistorizados avançados que usam Resistência à Deriva (IGBT)

fxQueda de tensão no IGBT no estado ONIr

FAQ

O que é Resistência à Deriva (IGBT)?

A resistência à deriva (IGBT) é a região de deriva N do material semicondutor no dispositivo. A região de deriva N é um silício dopado espesso que separa o coletor da região de base P. Resistência à Deriva (IGBT) geralmente é medido usando Quilohm para Resistência Elétrica. Observe que o valor de Resistência à Deriva (IGBT) é sempre positivo.

O Resistência à Deriva (IGBT) pode ser negativo?

Não, o Resistência à Deriva (IGBT), medido em Resistência Elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Resistência à Deriva (IGBT)?

Resistência à Deriva (IGBT) geralmente é medido usando Quilohm[kΩ] para Resistência Elétrica. Ohm[kΩ], Megohm[kΩ], Microhm[kΩ] são as poucas outras unidades nas quais Resistência à Deriva (IGBT) pode ser medido.

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