Região de profundidade de esgotamento da fonte em MOSFET Fórmulas

A região de profundidade de esgotamento da fonte é a região de esgotamento formada perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta. E é denotado por x_dS. Região de profundidade de esgotamento da fonte geralmente é medido usando Metro para Comprimento. Observe que o valor de Região de profundidade de esgotamento da fonte é sempre positivo.

Fórmulas para encontrar Região de profundidade de esgotamento da fonte em MOSFET

fxProfundidade da região de esgotamento associada à fonteIr

Lista de variáveis em fórmulas MOSFET

fx Potencial de junção integrado Ir

fx Concentração de Dopagem do Aceitante Ir

FAQ

O que é Região de profundidade de esgotamento da fonte?

A região de profundidade de esgotamento da fonte é a região de esgotamento formada perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta. Região de profundidade de esgotamento da fonte geralmente é medido usando Metro para Comprimento. Observe que o valor de Região de profundidade de esgotamento da fonte é sempre positivo.

O Região de profundidade de esgotamento da fonte pode ser negativo?

Não, o Região de profundidade de esgotamento da fonte, medido em Comprimento não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Região de profundidade de esgotamento da fonte?

Região de profundidade de esgotamento da fonte geralmente é medido usando Metro[m] para Comprimento. Milímetro[m], Quilômetro[m], Decímetro[m] são as poucas outras unidades nas quais Região de profundidade de esgotamento da fonte pode ser medido.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!