Região de esgotamento do coletor em Dispositivos semicondutores de micro-ondas Fórmulas

O tempo de trânsito da região de esgotamento do coletor em um BJT refere-se à duração que os portadores de carga levam para viajar através da região coletor-emissor do transistor. E é denotado por τ_ttc. Região de esgotamento do coletor geralmente é medido usando Microssegundo para Tempo. Observe que o valor de Região de esgotamento do coletor é sempre positivo.