Processo de Transcondutância em PMOS em MOSFET Fórmulas

A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte. E é denotado por k'_p. Processo de Transcondutância em PMOS geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de Processo de Transcondutância em PMOS é sempre negativo.

Fórmulas de MOSFET que usam Processo de Transcondutância em PMOS

fxCorrente de dreno sem modulação de comprimento de canal de MOSFETIr

fxDrenar corrente de saturação do MOSFETIr

FAQ

O que é Processo de Transcondutância em PMOS?

A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte. Processo de Transcondutância em PMOS geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de Processo de Transcondutância em PMOS é sempre negativo.

O Processo de Transcondutância em PMOS pode ser negativo?

Sim, o Processo de Transcondutância em PMOS, medido em Condutância Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Processo de Transcondutância em PMOS?

Processo de Transcondutância em PMOS geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais Processo de Transcondutância em PMOS pode ser medido.

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