Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS em MOSFET Fórmulas

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor. E é denotado por k'_p. Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS é sempre negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS em MOSFET

fxParâmetro de Transcondutância do Processo de PMOSIr

Fórmulas de MOSFET que usam Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

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Lista de variáveis em fórmulas MOSFET

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FAQ

O que é Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS?

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor. Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS é sempre negativo.

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS pode ser negativo?

Sim, o Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS, medido em Condutância Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS?

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS pode ser medido.

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