Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS em MOSFET Fórmulas

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor. E é denotado por k'_n. Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS é sempre negativo.

Fórmulas de MOSFET que usam Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS

fxTerminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de portaIr

fxCorrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOSIr

fxCorrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOSIr

fxCorrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetivaIr

fxFonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOSIr

fxDrenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensãoIr

fxTerminal de drenagem de entrada de corrente do NMOSIr

FAQ

O que é Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS?

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor. Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS é sempre negativo.

O Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS pode ser negativo?

Sim, o Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS, medido em Condutância Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS?

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS pode ser medido.

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