O que é Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica?
A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico. Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica geralmente é medido usando Centímetro Quadrado por Volt Segundo para Mobilidade. Observe que o valor de Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica é sempre positivo.
O Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica pode ser negativo?
Não, o Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica, medido em Mobilidade não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica?
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica geralmente é medido usando Centímetro Quadrado por Volt Segundo[cm²/V*s] para Mobilidade. Metro quadrado por volt por segundo[cm²/V*s] são as poucas outras unidades nas quais Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica pode ser medido.