A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura, E é denotado por μp. Mobilidade de Furos no Canal geralmente é medido usando Metro quadrado por volt por segundo para Mobilidade. Observe que o valor de Mobilidade de Furos no Canal é sempre negativo.