Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) em Dispositivos transistorizados avançados Fórmulas

A tensão Pn Junção 1 (IGBT) é causada pela barreira de potencial que existe na junção. Esta barreira potencial é criada pela difusão de portadores de carga através da junção. E é denotado por V_j1(igbt). Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) geralmente é medido usando Volt para Potencial elétrico. Observe que o valor de Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) é sempre positivo.

Fórmulas de Dispositivos transistorizados avançados que usam Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)

fxQueda de tensão no IGBT no estado ONIr

FAQ

O que é Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)?

A tensão Pn Junção 1 (IGBT) é causada pela barreira de potencial que existe na junção. Esta barreira potencial é criada pela difusão de portadores de carga através da junção. Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) geralmente é medido usando Volt para Potencial elétrico. Observe que o valor de Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) é sempre positivo.

O Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) pode ser negativo?

Não, o Junção Pn de Tensão 1 (IGBT), medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Junção Pn de Tensão 1 (IGBT)?

Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Junção Pn de Tensão 1 (IGBT) pode ser medido.

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