FET de transcondutância direta em Dispositivos transistorizados avançados Fórmulas

FET de transcondutância direta refere-se à mudança na corrente de saída resultante de uma mudança na tensão de entrada, indicando a capacidade de amplificação do dispositivo. E é denotado por G_m(fet). FET de transcondutância direta geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de FET de transcondutância direta é sempre positivo.

Fórmulas para encontrar FET de transcondutância direta em Dispositivos transistorizados avançados

fxTranscondutância de FETIr

Fórmulas de Dispositivos transistorizados avançados que usam FET de transcondutância direta

fxGanho de tensão do FETIr

Lista de variáveis em fórmulas Dispositivos transistorizados avançados

fx Corrente de drenagem de polarização zero Ir

fx Aperte a tensão Ir

fx Tensão da fonte de drenagem FET Ir

FAQ

O que é FET de transcondutância direta?

FET de transcondutância direta refere-se à mudança na corrente de saída resultante de uma mudança na tensão de entrada, indicando a capacidade de amplificação do dispositivo. FET de transcondutância direta geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de FET de transcondutância direta é sempre positivo.

O FET de transcondutância direta pode ser negativo?

Não, o FET de transcondutância direta, medido em Condutância Elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir FET de transcondutância direta?

FET de transcondutância direta geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais FET de transcondutância direta pode ser medido.

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