FET de condutância do canal em Dispositivos transistorizados avançados Fórmulas

FET de condutância do canal é a medida de quão bem o canal de um FET conduz a corrente. É determinado pela mobilidade dos portadores de carga no canal. E é denotado por G_o(fet). FET de condutância do canal geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de FET de condutância do canal é sempre negativo.

Fórmulas de Dispositivos transistorizados avançados que usam FET de condutância do canal

fxCorrente de drenagem da região ôhmica do FETIr

FAQ

O que é FET de condutância do canal?

FET de condutância do canal é a medida de quão bem o canal de um FET conduz a corrente. É determinado pela mobilidade dos portadores de carga no canal. FET de condutância do canal geralmente é medido usando Millisiemens para Condutância Elétrica. Observe que o valor de FET de condutância do canal é sempre negativo.

O FET de condutância do canal pode ser negativo?

Sim, o FET de condutância do canal, medido em Condutância Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir FET de condutância do canal?

FET de condutância do canal geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais FET de condutância do canal pode ser medido.

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