Extensão lateral da região de esgotamento com fonte em Fabricação VLSI Fórmulas

Extensão lateral da região de esgotamento com fonte a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de fonte em um dispositivo semicondutor. E é denotado por ΔL_s. Extensão lateral da região de esgotamento com fonte geralmente é medido usando Micrômetro para Comprimento. Observe que o valor de Extensão lateral da região de esgotamento com fonte é sempre positivo.