Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno em Fabricação VLSI Fórmulas

Extensão lateral da região de esgotamento com dreno a distância horizontal através da qual a região de esgotamento se estende lateralmente a partir do terminal de dreno em um dispositivo semicondutor. E é denotado por ΔL_D. Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno geralmente é medido usando Micrômetro para Comprimento. Observe que o valor de Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno é sempre positivo.