Dopagem no lado P refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo P de um dispositivo semicondutor. E é denotado por Ndp. Doping no lado P geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Densidade numérica. Observe que o valor de Doping no lado P é sempre positivo.