FAQ

O que é Doping no lado P?
Dopagem no lado P refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo P de um dispositivo semicondutor. Doping no lado P geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Densidade numérica. Observe que o valor de Doping no lado P é sempre positivo.
O Doping no lado P pode ser negativo?
Não, o Doping no lado P, medido em Densidade numérica não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Doping no lado P?
Doping no lado P geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico[1/cm³] para Densidade numérica. 1 por metro cúbico[1/cm³] são as poucas outras unidades nas quais Doping no lado P pode ser medido.
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