Doping no lado N em Circuitos Integrados (CI) Fórmulas

A dopagem no lado N refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo N de um dispositivo semicondutor. E é denotado por N_dn. Doping no lado N geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Densidade numérica. Observe que o valor de Doping no lado N é sempre positivo.

Fórmulas de Circuitos Integrados (CI) que usam Doping no lado N

fxEficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagemIr

FAQ

O que é Doping no lado N?

A dopagem no lado N refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo N de um dispositivo semicondutor. Doping no lado N geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Densidade numérica. Observe que o valor de Doping no lado N é sempre positivo.

O Doping no lado N pode ser negativo?

Não, o Doping no lado N, medido em Densidade numérica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Doping no lado N?

Doping no lado N geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico[1/cm³] para Densidade numérica. 1 por metro cúbico[1/cm³] são as poucas outras unidades nas quais Doping no lado N pode ser medido.

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