Dopagem de furos Mobilidade de silício em Circuitos Integrados (CI) Fórmulas

Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado. E é denotado por μ_p. Dopagem de furos Mobilidade de silício geralmente é medido usando Centímetro Quadrado por Volt Segundo para Mobilidade. Observe que o valor de Dopagem de furos Mobilidade de silício é sempre positivo.

Fórmulas de Circuitos Integrados (CI) que usam Dopagem de furos Mobilidade de silício

fxCondutividade ôhmica da impurezaIr

fxCondutividade do Tipo NIr

fxCondutividade do tipo PIr

FAQ

O que é Dopagem de furos Mobilidade de silício?

Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado. Dopagem de furos Mobilidade de silício geralmente é medido usando Centímetro Quadrado por Volt Segundo para Mobilidade. Observe que o valor de Dopagem de furos Mobilidade de silício é sempre positivo.

O Dopagem de furos Mobilidade de silício pode ser negativo?

Não, o Dopagem de furos Mobilidade de silício, medido em Mobilidade não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Dopagem de furos Mobilidade de silício?

Dopagem de furos Mobilidade de silício geralmente é medido usando Centímetro Quadrado por Volt Segundo[cm²/V*s] para Mobilidade. Metro quadrado por volt por segundo[cm²/V*s] são as poucas outras unidades nas quais Dopagem de furos Mobilidade de silício pode ser medido.

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