Concentração Intrínseca de Portadores em MOSFET Fórmulas

A concentração intrínseca de portadores é uma propriedade fundamental de um material semicondutor e representa a concentração de portadores de carga gerados termicamente na ausência de quaisquer influências externas. E é denotado por n_i. Concentração Intrínseca de Portadores geralmente é medido usando Elétrons por metro cúbico para Densidade Eletrônica. Observe que o valor de Concentração Intrínseca de Portadores é sempre positivo.

Fórmulas de MOSFET que usam Concentração Intrínseca de Portadores

fxPotencial de Fermi para tipo PIr

fxPotencial de Fermi para tipo NIr

FAQ

O que é Concentração Intrínseca de Portadores?

A concentração intrínseca de portadores é uma propriedade fundamental de um material semicondutor e representa a concentração de portadores de carga gerados termicamente na ausência de quaisquer influências externas. Concentração Intrínseca de Portadores geralmente é medido usando Elétrons por metro cúbico para Densidade Eletrônica. Observe que o valor de Concentração Intrínseca de Portadores é sempre positivo.

O Concentração Intrínseca de Portadores pode ser negativo?

Não, o Concentração Intrínseca de Portadores, medido em Densidade Eletrônica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Concentração Intrínseca de Portadores?

Concentração Intrínseca de Portadores geralmente é medido usando Elétrons por metro cúbico[electrons/m³] para Densidade Eletrônica. Elétrons por Centímetro Cúbico[electrons/m³] são as poucas outras unidades nas quais Concentração Intrínseca de Portadores pode ser medido.

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