Concentração Intrínseca de Elétrons em Design e aplicações CMOS Fórmulas

A concentração intrínseca de elétrons é definida como o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco. E é denotado por n_i.

Fórmulas de Design e aplicações CMOS que usam Concentração Intrínseca de Elétrons

fxPotencial embutidoIr

fxTensão térmica do CMOSIr

FAQ

O que é Concentração Intrínseca de Elétrons?

A concentração intrínseca de elétrons é definida como o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.

O Concentração Intrínseca de Elétrons pode ser negativo?

{YesorNo}, o Concentração Intrínseca de Elétrons, medido em {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot} ser negativo.

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