FormulaDen.com
Física
Química
Matemática
Engenheiro químico
Civil
Elétrico
Eletrônicos
Eletrônica e Instrumentação
Ciência de materiais
Mecânico
Engenharia de Produção
Financeiro
Saúde
Você está aqui
-
Lar
»
Engenharia
»
Eletrônicos
»
Fabricação VLSI
Concentração do aceitante em Fabricação VLSI Fórmulas
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor. E é denotado por N
A
. Concentração do aceitante geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Concentração de Portadores. Observe que o valor de Concentração do aceitante é sempre positivo.
Fórmulas de Fabricação VLSI que usam Concentração do aceitante
f
x
Potencial de Superfície
Ir
f
x
Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Ir
f
x
Tensão integrada de junção VLSI
Ir
f
x
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Ir
f
x
Concentração do aceitante após Full Scaling VLSI
Ir
f
x
Profundidade de esgotamento da junção PN com dreno VLSI
Ir
f
x
Redução de tensão limite de canal curto VLSI
Ir
f
x
Tensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSI
Ir
f
x
Potencial entre Fonte e Corpo
Ir
FAQ
O que é Concentração do aceitante?
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor. Concentração do aceitante geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Concentração de Portadores. Observe que o valor de Concentração do aceitante é sempre positivo.
O Concentração do aceitante pode ser negativo?
Não, o Concentração do aceitante, medido em Concentração de Portadores não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Concentração do aceitante?
Concentração do aceitante geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico[1/cm³] para Concentração de Portadores. 1 por metro cúbico[1/cm³], por litro[1/cm³] são as poucas outras unidades nas quais Concentração do aceitante pode ser medido.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!