Concentração de Dopagem do Substrato P em MOSFET Fórmulas

A concentração de dopagem do substrato P é o número de impurezas adicionadas ao substrato. É a concentração total de íons aceitadores. E é denotado por N_P. Concentração de Dopagem do Substrato P geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Concentração de Portadores. Observe que o valor de Concentração de Dopagem do Substrato P é sempre negativo.

Fórmulas de MOSFET que usam Concentração de Dopagem do Substrato P

fxParâmetro do Processo de Fabricação do NMOSIr

FAQ

O que é Concentração de Dopagem do Substrato P?

A concentração de dopagem do substrato P é o número de impurezas adicionadas ao substrato. É a concentração total de íons aceitadores. Concentração de Dopagem do Substrato P geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico para Concentração de Portadores. Observe que o valor de Concentração de Dopagem do Substrato P é sempre negativo.

O Concentração de Dopagem do Substrato P pode ser negativo?

Sim, o Concentração de Dopagem do Substrato P, medido em Concentração de Portadores pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Concentração de Dopagem do Substrato P?

Concentração de Dopagem do Substrato P geralmente é medido usando 1 por centímetro cúbico[1/cm³] para Concentração de Portadores. 1 por metro cúbico[1/cm³], por litro[1/cm³] são as poucas outras unidades nas quais Concentração de Dopagem do Substrato P pode ser medido.

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