Comprimento de onda em fotolitografia em Circuitos Integrados (CI) Fórmulas

Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores. E é denotado por λ_l. Comprimento de onda em fotolitografia geralmente é medido usando Nanômetro para Comprimento de onda. Observe que o valor de Comprimento de onda em fotolitografia é sempre positivo.