Capacitância Gate-Dreno em MOSFET Fórmulas

A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET). E é denotado por C_gd. Capacitância Gate-Dreno geralmente é medido usando Microfarad para Capacitância. Observe que o valor de Capacitância Gate-Dreno é sempre positivo.

Fórmulas de MOSFET que usam Capacitância Gate-Dreno

fxTensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFETIr

fxTensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entradaIr

fxFrequência de Transição do MOSFETIr

fxCapacitância de Miller do MosfetIr

fxSaída Miller Capacitância MosfetIr

FAQ

O que é Capacitância Gate-Dreno?

A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET). Capacitância Gate-Dreno geralmente é medido usando Microfarad para Capacitância. Observe que o valor de Capacitância Gate-Dreno é sempre positivo.

O Capacitância Gate-Dreno pode ser negativo?

Não, o Capacitância Gate-Dreno, medido em Capacitância não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Capacitância Gate-Dreno?

Capacitância Gate-Dreno geralmente é medido usando Microfarad[μF] para Capacitância. Farad[μF], Quilofarad[μF], Milifarad[μF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância Gate-Dreno pode ser medido.

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