Capacitância de Óxido por Unidade de Área em Fabricação VLSI Fórmulas

A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor. E é denotado por C_oxide. Capacitância de Óxido por Unidade de Área geralmente é medido usando Microfarad por centímetro quadrado para Capacitância de óxido por unidade de área. Observe que o valor de Capacitância de Óxido por Unidade de Área é sempre positivo.

Fórmulas de Fabricação VLSI que usam Capacitância de Óxido por Unidade de Área

fxCorrente de saturação de canal curto VLSIIr

fxCapacitância de Óxido após Full Scaling VLSIIr

fxRedução de tensão limite de canal curto VLSIIr

fxCapacitância de Óxido após Escala de Tensão VLSIIr

fxTensão Limite Adicional de Canal Estreito VLSIIr

FAQ

O que é Capacitância de Óxido por Unidade de Área?

A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor. Capacitância de Óxido por Unidade de Área geralmente é medido usando Microfarad por centímetro quadrado para Capacitância de óxido por unidade de área. Observe que o valor de Capacitância de Óxido por Unidade de Área é sempre positivo.

O Capacitância de Óxido por Unidade de Área pode ser negativo?

Não, o Capacitância de Óxido por Unidade de Área, medido em Capacitância de óxido por unidade de área não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Capacitância de Óxido por Unidade de Área?

Capacitância de Óxido por Unidade de Área geralmente é medido usando Microfarad por centímetro quadrado[μF/cm²] para Capacitância de óxido por unidade de área. Farad por metro quadrado[μF/cm²], Nanofarad por centímetro quadrado[μF/cm²], Microfarad por Milímetro Quadrado[μF/cm²] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância de Óxido por Unidade de Área pode ser medido.

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