Capacitância de carga CMOS do inversor em Design e aplicações CMOS Fórmulas

A capacitância de carga CMOS do inversor é a capacitância acionada pela saída de um inversor CMOS, incluindo fiação, capacitâncias de entrada de portas conectadas e capacitâncias parasitas. E é denotado por C_load. Capacitância de carga CMOS do inversor geralmente é medido usando FemtoFarad para Capacitância. Observe que o valor de Capacitância de carga CMOS do inversor é sempre positivo.

Fórmulas para encontrar Capacitância de carga CMOS do inversor em Design e aplicações CMOS

fxCapacitância de carga do inversor CMOS em cascataIr

Fórmulas de Design e aplicações CMOS que usam Capacitância de carga CMOS do inversor

fxAtraso de propagação para CMOS de transição de saída alta para baixaIr

fxAtraso de propagação para CMOS de transição de saída baixa para altaIr

fxCMOS de dissipação média de energiaIr

Lista de variáveis em fórmulas Design e aplicações CMOS

fx Capacitância de drenagem da porta PMOS Ir

fx Capacitância de drenagem da porta NMOS Ir

fx Capacitância em massa de drenagem PMOS Ir

fx Capacitância em massa de drenagem NMOS Ir

fx Capacitância interna do CMOS do inversor Ir

fx Capacitância da porta CMOS do inversor Ir

FAQ

O que é Capacitância de carga CMOS do inversor?

A capacitância de carga CMOS do inversor é a capacitância acionada pela saída de um inversor CMOS, incluindo fiação, capacitâncias de entrada de portas conectadas e capacitâncias parasitas. Capacitância de carga CMOS do inversor geralmente é medido usando FemtoFarad para Capacitância. Observe que o valor de Capacitância de carga CMOS do inversor é sempre positivo.

O Capacitância de carga CMOS do inversor pode ser negativo?

Não, o Capacitância de carga CMOS do inversor, medido em Capacitância não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Capacitância de carga CMOS do inversor?

Capacitância de carga CMOS do inversor geralmente é medido usando FemtoFarad[fF] para Capacitância. Farad[fF], Quilofarad[fF], Milifarad[fF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância de carga CMOS do inversor pode ser medido.

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