Capacitância da camada de óxido de porta em Design e aplicações CMOS Fórmulas

A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo. E é denotado por C_ox. Capacitância da camada de óxido de porta geralmente é medido usando Microfarad por Milímetro Quadrado para Capacitância de óxido por unidade de área. Observe que o valor de Capacitância da camada de óxido de porta é sempre positivo.