Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych w MOSFET Formuły

Wbudowany potencjał złączy ścian bocznych odnosi się do złączy utworzonych wzdłuż powierzchni pionowych lub ścian bocznych konstrukcji tranzystora. I jest oznaczony przez Φ_osw. Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych to zawsze pozytywny.

Formuły MOSFET korzystające z Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych

fxWspółczynnik równoważności napięcia ściany bocznejIść

FAQ

Co to jest Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych?

Wbudowany potencjał złączy ścian bocznych odnosi się do złączy utworzonych wzdłuż powierzchni pionowych lub ścian bocznych konstrukcji tranzystora. Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych to zawsze pozytywny.

Czy Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych może być ujemna?

NIE, Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych, zmierzona w Potencjał elektryczny Nie mogę będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych?

Wartość Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!