Transkonduktancja w MOSFET-ie w MOSFET Formuły

Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym. I jest oznaczony przez g_m. Transkonduktancja w MOSFET-ie jest zwykle mierzona przy użyciu Siemens dla Przewodnictwo elektryczne. Należy pamiętać, że wartość Transkonduktancja w MOSFET-ie to zawsze negatywny.

Formuły umożliwiające znalezienie zmiennej Transkonduktancja w MOSFET-ie w kategorii MOSFET

fxTranskonduktancja MOSFET przy danej pojemności tlenkowejIść

Lista zmiennych w formułach MOSFET

fx Mobilność elektronów Iść

fx Pojemność tlenkowa Iść

fx Szerokość tranzystora Iść

fx Długość tranzystora Iść

fx Prąd spustowy Iść

FAQ

Co to jest Transkonduktancja w MOSFET-ie?

Transkonduktancja w MOSFET-ie jest kluczowym parametrem opisującym zależność pomiędzy napięciem wejściowym i prądem wyjściowym. Transkonduktancja w MOSFET-ie jest zwykle mierzona przy użyciu Siemens dla Przewodnictwo elektryczne. Należy pamiętać, że wartość Transkonduktancja w MOSFET-ie to zawsze negatywny.

Czy Transkonduktancja w MOSFET-ie może być ujemna?

Tak, Transkonduktancja w MOSFET-ie, zmierzona w Przewodnictwo elektryczne Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Transkonduktancja w MOSFET-ie?

Wartość Transkonduktancja w MOSFET-ie jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Siemens[S] dla wartości Przewodnictwo elektryczne. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Transkonduktancja w MOSFET-ie.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!