Transkonduktancja procesowa w PMOS w MOSFET Formuły

Transkonduktancja procesu w PMOS odnosi się do wzmocnienia tranzystora PMOS w odniesieniu do jego napięcia bramki-źródła. I jest oznaczony przez k'_p. Transkonduktancja procesowa w PMOS jest zwykle mierzona przy użyciu Millisiemens dla Przewodnictwo elektryczne. Należy pamiętać, że wartość Transkonduktancja procesowa w PMOS to zawsze negatywny.

Formuły MOSFET korzystające z Transkonduktancja procesowa w PMOS

fxPrąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFETIść

fxPrąd nasycenia drenu tranzystora MOSFETIść

FAQ

Co to jest Transkonduktancja procesowa w PMOS?

Transkonduktancja procesu w PMOS odnosi się do wzmocnienia tranzystora PMOS w odniesieniu do jego napięcia bramki-źródła. Transkonduktancja procesowa w PMOS jest zwykle mierzona przy użyciu Millisiemens dla Przewodnictwo elektryczne. Należy pamiętać, że wartość Transkonduktancja procesowa w PMOS to zawsze negatywny.

Czy Transkonduktancja procesowa w PMOS może być ujemna?

Tak, Transkonduktancja procesowa w PMOS, zmierzona w Przewodnictwo elektryczne Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Transkonduktancja procesowa w PMOS?

Wartość Transkonduktancja procesowa w PMOS jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Millisiemens[mS] dla wartości Przewodnictwo elektryczne. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Transkonduktancja procesowa w PMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!