Transkonduktancja MESFET-u w Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formuły

Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło. I jest oznaczony przez G_m. Transkonduktancja MESFET-u jest zwykle mierzona przy użyciu Siemens dla Przewodnictwo elektryczne. Należy pamiętać, że wartość Transkonduktancja MESFET-u to zawsze pozytywny.

Formuły umożliwiające znalezienie zmiennej Transkonduktancja MESFET-u w kategorii Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe

fxTranskonduktancja w obszarze nasycenia w MESFETIść

Formuły Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe korzystające z Transkonduktancja MESFET-u

fxCzęstotliwość odcięcia MESFETIść

fxWspółczynnik szumu GaAs MESFETIść

Lista zmiennych w formułach Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe

fx Przewodność wyjściowa Iść

fx Napięcie wejściowe Iść

fx Próg napięcia Iść

fx Napięcie odcięcia Iść

FAQ

Co to jest Transkonduktancja MESFET-u?

Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło. Transkonduktancja MESFET-u jest zwykle mierzona przy użyciu Siemens dla Przewodnictwo elektryczne. Należy pamiętać, że wartość Transkonduktancja MESFET-u to zawsze pozytywny.

Czy Transkonduktancja MESFET-u może być ujemna?

NIE, Transkonduktancja MESFET-u, zmierzona w Przewodnictwo elektryczne Nie mogę będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Transkonduktancja MESFET-u?

Wartość Transkonduktancja MESFET-u jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Siemens[S] dla wartości Przewodnictwo elektryczne. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Transkonduktancja MESFET-u.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!