Stężenie domieszkowania substratu P w MOSFET Formuły

Stężenie domieszkowania substratu P to liczba zanieczyszczeń dodanych do substratu. Jest to całkowite stężenie jonów akceptorowych. I jest oznaczony przez N_P. Stężenie domieszkowania substratu P jest zwykle mierzona przy użyciu 1 na centymetr sześcienny dla Koncentracja nośników. Należy pamiętać, że wartość Stężenie domieszkowania substratu P to zawsze negatywny.

Formuły MOSFET korzystające z Stężenie domieszkowania substratu P

fxParametr procesu produkcyjnego NMOSIść

FAQ

Co to jest Stężenie domieszkowania substratu P?

Stężenie domieszkowania substratu P to liczba zanieczyszczeń dodanych do substratu. Jest to całkowite stężenie jonów akceptorowych. Stężenie domieszkowania substratu P jest zwykle mierzona przy użyciu 1 na centymetr sześcienny dla Koncentracja nośników. Należy pamiętać, że wartość Stężenie domieszkowania substratu P to zawsze negatywny.

Czy Stężenie domieszkowania substratu P może być ujemna?

Tak, Stężenie domieszkowania substratu P, zmierzona w Koncentracja nośników Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Stężenie domieszkowania substratu P?

Wartość Stężenie domieszkowania substratu P jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej 1 na centymetr sześcienny[1/cm³] dla wartości Koncentracja nośników. 1 na metr sześcienny[1/cm³], na litr[1/cm³] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Stężenie domieszkowania substratu P.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!