Prędkość dryfu inwersji w MOSFET Formuły

Prędkość dryfu warstwy inwersyjnej w tranzystorze MOSFET to średnia prędkość elektronów tworzących warstwę inwersyjną podczas przemieszczania się przez materiał pod wpływem pola elektrycznego. I jest oznaczony przez V_y. Prędkość dryfu inwersji jest zwykle mierzona przy użyciu Centymetr na sekundę dla Prędkość. Należy pamiętać, że wartość Prędkość dryfu inwersji to zawsze negatywny.

Formuły umożliwiające znalezienie zmiennej Prędkość dryfu inwersji w kategorii MOSFET

fxPrąd w kanale inwersji PMOS przy danej mobilnościIść

Formuły MOSFET korzystające z Prędkość dryfu inwersji

fxPrąd w kanale inwersji PMOSIść

Lista zmiennych w formułach MOSFET

fx Ruchliwość otworów w kanale Iść

fx Pozioma składowa pola elektrycznego w kanale Iść

FAQ

Co to jest Prędkość dryfu inwersji?

Prędkość dryfu warstwy inwersyjnej w tranzystorze MOSFET to średnia prędkość elektronów tworzących warstwę inwersyjną podczas przemieszczania się przez materiał pod wpływem pola elektrycznego. Prędkość dryfu inwersji jest zwykle mierzona przy użyciu Centymetr na sekundę dla Prędkość. Należy pamiętać, że wartość Prędkość dryfu inwersji to zawsze negatywny.

Czy Prędkość dryfu inwersji może być ujemna?

Tak, Prędkość dryfu inwersji, zmierzona w Prędkość Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Prędkość dryfu inwersji?

Wartość Prędkość dryfu inwersji jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Centymetr na sekundę[cm/s] dla wartości Prędkość. Metr na sekundę[cm/s], Metr na minutę[cm/s], Metr na godzinę[cm/s] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Prędkość dryfu inwersji.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!