Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu w Produkcja VLSI Formuły

Prędkość dryfu elektronów w stanie nasycenia definiuje się jako maksymalną prędkość osiąganą przez elektrony w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego. I jest oznaczony przez v_d(sat). Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu jest zwykle mierzona przy użyciu Centymetr na sekundę dla Prędkość. Należy pamiętać, że wartość Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu to zawsze pozytywny.