Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu w MOSFET Formuły

Prędkość dryfu elektronów w stanie nasycenia reprezentuje prędkość dryfu elektronów przy nasyceniu tranzystora MOSFET przy niskim polu elektrycznym. I jest oznaczony przez V_d(sat). Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu jest zwykle mierzona przy użyciu Metr na sekundę dla Prędkość. Należy pamiętać, że wartość Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu to zawsze negatywny.

Formuły MOSFET korzystające z Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu

fxPrąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOSIść

FAQ

Co to jest Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu?

Prędkość dryfu elektronów w stanie nasycenia reprezentuje prędkość dryfu elektronów przy nasyceniu tranzystora MOSFET przy niskim polu elektrycznym. Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu jest zwykle mierzona przy użyciu Metr na sekundę dla Prędkość. Należy pamiętać, że wartość Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu to zawsze negatywny.

Czy Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu może być ujemna?

Tak, Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu, zmierzona w Prędkość Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu?

Wartość Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Metr na sekundę[m/s] dla wartości Prędkość. Metr na minutę[m/s], Metr na godzinę[m/s], Kilometr/Godzina[m/s] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!