Prąd ściągania obszaru nasycenia w MOSFET Formuły

Prąd obniżania obszaru nasycenia to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie nasycenia. I jest oznaczony przez I_D(sat). Prąd ściągania obszaru nasycenia jest zwykle mierzona przy użyciu Amper dla Prąd elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Prąd ściągania obszaru nasycenia to zawsze negatywny.

Formuły umożliwiające znalezienie zmiennej Prąd ściągania obszaru nasycenia w kategorii MOSFET

fxZmniejsz prąd w obszarze nasyceniaIść

Lista zmiennych w formułach MOSFET

fx Liczba równoległych tranzystorów sterujących Iść

fx Mobilność elektronów Iść

fx Pojemność tlenkowa Iść

fx Szerokość kanału Iść

fx Długość kanału Iść

fx Napięcie źródła bramki Iść

fx Próg napięcia Iść

FAQ

Co to jest Prąd ściągania obszaru nasycenia?

Prąd obniżania obszaru nasycenia to prąd płynący przez rezystor, gdy rezystor obniżający jest używany z N-kanałowym MOSFET-em w trybie nasycenia. Prąd ściągania obszaru nasycenia jest zwykle mierzona przy użyciu Amper dla Prąd elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Prąd ściągania obszaru nasycenia to zawsze negatywny.

Czy Prąd ściągania obszaru nasycenia może być ujemna?

Tak, Prąd ściągania obszaru nasycenia, zmierzona w Prąd elektryczny Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Prąd ściągania obszaru nasycenia?

Wartość Prąd ściągania obszaru nasycenia jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Amper[A] dla wartości Prąd elektryczny. Miliamper[A], Mikroamper[A], Centiamper[A] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Prąd ściągania obszaru nasycenia.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!