Parametr transkonduktancji procesu w MOSFET Formuły

Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora. I jest oznaczony przez k'_n. Parametr transkonduktancji procesu jest zwykle mierzona przy użyciu Amper na wolt kwadratowy dla Parametr transkonduktancji. Należy pamiętać, że wartość Parametr transkonduktancji procesu to zawsze negatywny.

Formuły MOSFET korzystające z Parametr transkonduktancji procesu

fxNapięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowymIść

fxWspółczynnik wzmocnienia dla modelu MOSFET małego sygnałuIść

FAQ

Co to jest Parametr transkonduktancji procesu?

Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora. Parametr transkonduktancji procesu jest zwykle mierzona przy użyciu Amper na wolt kwadratowy dla Parametr transkonduktancji. Należy pamiętać, że wartość Parametr transkonduktancji procesu to zawsze negatywny.

Czy Parametr transkonduktancji procesu może być ujemna?

Tak, Parametr transkonduktancji procesu, zmierzona w Parametr transkonduktancji Móc będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Parametr transkonduktancji procesu?

Wartość Parametr transkonduktancji procesu jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Amper na wolt kwadratowy[A/V²] dla wartości Parametr transkonduktancji. Miliamper na wolt kwadratowy[A/V²], Mikroamper na wolt kwadratowy[A/V²] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Parametr transkonduktancji procesu.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!