Napięcie źródła drenażu nasycenia w Produkcja VLSI Formuły

Napięcie źródła drenu nasycenia definiuje się jako napięcie na zaciskach drenu i źródła tranzystora MOSFET, gdy tranzystor pracuje w trybie nasycenia. I jest oznaczony przez V_Dsat. Napięcie źródła drenażu nasycenia jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Napięcie źródła drenażu nasycenia to zawsze pozytywny.

Formuły Produkcja VLSI korzystające z Napięcie źródła drenażu nasycenia

fxPrąd nasycenia krótkiego kanału VLSIIść

FAQ

Co to jest Napięcie źródła drenażu nasycenia?

Napięcie źródła drenu nasycenia definiuje się jako napięcie na zaciskach drenu i źródła tranzystora MOSFET, gdy tranzystor pracuje w trybie nasycenia. Napięcie źródła drenażu nasycenia jest zwykle mierzona przy użyciu Wolt dla Potencjał elektryczny. Należy pamiętać, że wartość Napięcie źródła drenażu nasycenia to zawsze pozytywny.

Czy Napięcie źródła drenażu nasycenia może być ujemna?

NIE, Napięcie źródła drenażu nasycenia, zmierzona w Potencjał elektryczny Nie mogę będzie ujemna.

Jakiej jednostki używa się do pomiaru Napięcie źródła drenażu nasycenia?

Wartość Napięcie źródła drenażu nasycenia jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można mierzyć Napięcie źródła drenażu nasycenia.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!